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Datasheet下载- 型号： SI7949DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7949DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7949DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7949DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7949DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 3.2A 1.5W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7949DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7949DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7949DP-T1-GE3是一款晶体管 - FET，MOSFET阵列，适用于多种应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 该器件广泛应用于电源管理领域，特别是在需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的场合。它能够有效降低功耗，提升电源转换效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备中，SI7949DP-T1-GE3可以用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，该MOSFET阵列可用于控制电机的速度和方向。它具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频下稳定工作，减少热量产生。适用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）的驱动电路。 3. 消费电子产品 在消费电子产品如智能电视、音响系统和家用电器中，SI7949DP-T1-GE3可用于音频放大器、背光驱动和各种电源模块。其紧凑的封装和高效性能使其成为这些产品的理想选择。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和机器人控制系统中的信号隔离和功率传输。其高可靠性和耐用性确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。 5. 通信设备 在通信设备如路由器、交换机和基站中，SI7949DP-T1-GE3可用于电源管理和信号处理。其低噪声特性和快速响应速度有助于提高通信系统的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，该MOSFET阵列可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）和LED照明系统。其符合AEC-Q101标准，确保了在汽车环境中的可靠性和安全性。 总之，Vishay Siliconix的SI7949DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于各类电子设备中，特别适合对效率、可靠性和空间要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73130 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7949DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7949DP-T1-GE3SI7949DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 64 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7949DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7949DP-GE3 |
