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型号： SI7942DP-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI7942DP-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7942DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7942DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7942DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 100V 3.8A 1.4W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7942DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7942DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	3.8 A
Id-连续漏极电流	3.8 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?72118
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7942DP-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI7942DP-T1-GE3SI7942DP-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	1.4 W
Pd-功率耗散	1.4 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	49 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	49 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	15 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	24nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	49 毫欧 @ 5.9A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8 Dual
其它名称	SI7942DP-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	1.4W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 双
封装/箱体	PowerPAK SO-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.8A
通道模式	Enhancement
配置	Dual
零件号别名	SI7942DP-GE3