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SI7942DP-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7942DP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7942DP-T1-E3价格参考¥10.49-¥22.09。VishaySI7942DP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 3.8A 1.4W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7942DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7942DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7942DP-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:适用于便携式设备中的负载开关应用,用于控制电路的通断,降低功耗。 - DC-DC转换器:在降压或升压转换器中作为开关元件,提供高效的能量转换。 - 电池保护:用于锂电池管理系统(BMS),防止过流、短路和反向电流。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用:在需要多个信号路径切换的应用中,如音频、视频或数据信号切换。 - 模拟开关:用于低功耗、低导通电阻(Rds(on))的模拟信号切换场景。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于玩具、家用电器等小功率电机的启动、停止和速度调节。 - H桥电路:实现双向电机控制,支持正转和反转功能。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和信号切换。 - USB接口保护:在USB充电或数据传输时,提供过流保护和快速开关功能。 5. 工业控制 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于传感器信号的隔离和切换。 - 继电器替代:由于其低功耗和高可靠性,可替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车内照明控制:用于LED灯的开关控制。 - 车载信息娱乐系统:用于音频信号切换和电源管理。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):确保高效运行,减少发热。 - 小型封装(TSOP-6):节省PCB空间,适合紧凑设计。 - 高开关速度:支持高频应用,提升系统性能。 - 静电放电(ESD)保护:增强器件的鲁棒性和可靠性。 综上所述,SI7942DP-T1-E3广泛应用于各种需要高效开关、低功耗和可靠性能的场景,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8MOSFET 100V N-CH |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72118 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7942DP-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7942DP-T1-E3SI7942DP-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 49 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 49 毫欧 @ 5.9A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
其它名称 | SI7942DP-T1-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.8A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI7942DP-E3 |