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  • 型号: SI7942DP-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI7942DP-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7942DP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7942DP-T1-E3价格参考¥10.49-¥22.09。VishaySI7942DP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 3.8A 1.4W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7942DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7942DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7942DP-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:适用于便携式设备中的负载开关应用,用于控制电路的通断,降低功耗。
   - DC-DC转换器:在降压或升压转换器中作为开关元件,提供高效的能量转换。
   - 电池保护:用于锂电池管理系统(BMS),防止过流、短路和反向电流。

 2. 信号切换
   - 多路复用/解复用:在需要多个信号路径切换的应用中,如音频、视频或数据信号切换。
   - 模拟开关:用于低功耗、低导通电阻(Rds(on))的模拟信号切换场景。

 3. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:用于玩具、家用电器等小功率电机的启动、停止和速度调节。
   - H桥电路:实现双向电机控制,支持正转和反转功能。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和信号切换。
   - USB接口保护:在USB充电或数据传输时,提供过流保护和快速开关功能。

 5. 工业控制
   - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于传感器信号的隔离和切换。
   - 继电器替代:由于其低功耗和高可靠性,可替代传统机械继电器。

 6. 汽车电子
   - 车内照明控制:用于LED灯的开关控制。
   - 车载信息娱乐系统:用于音频信号切换和电源管理。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):确保高效运行,减少发热。
- 小型封装(TSOP-6):节省PCB空间,适合紧凑设计。
- 高开关速度:支持高频应用,提升系统性能。
- 静电放电(ESD)保护:增强器件的鲁棒性和可靠性。

综上所述,SI7942DP-T1-E3广泛应用于各种需要高效开关、低功耗和可靠性能的场景,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8MOSFET 100V N-CH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

3.8 A

Id-连续漏极电流

3.8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72118

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7942DP-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7942DP-T1-E3SI7942DP-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

49 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

49 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

49 毫欧 @ 5.9A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8 Dual

其它名称

SI7942DP-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

1.4W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET/PowerPAK

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8 双

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

14 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.8A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI7942DP-E3

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