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型号： SI7905DN-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7905DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7905DN-T1-E3价格参考。VishaySI7905DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 6A 20.8W 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 Dual。您可以下载SI7905DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7905DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7905DN-T1-E3是一款双N沟道MOSFET阵列，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性。其主要应用场景包括：

 1. 电源管理
   SI7905DN-T1-E3常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和负载点（POL）转换器中。由于其低导通电阻（最大值为2.6mΩ），可以有效减少功率损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。

 2. 电机控制
   在电机驱动电路中，MOSFET作为开关元件用于控制电机的启停和速度。SI7905DN-T1-E3的低导通电阻和快速响应能力使其适合应用于小型电机驱动器、风扇控制、泵控制器等场合，能够提供高效且稳定的电机控制性能。

 3. 电池管理系统（BMS）
   在电池管理系统中，MOSFET用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。SI7905DN-T1-E3的低导通电阻有助于减少电池电流路径中的能量损失，同时其快速开关特性可以迅速切断异常电流，确保电池的安全运行。

 4. 信号切换与保护
   该器件还可用于信号切换电路中，如USB接口保护、音频信号切换等。由于其低导通电阻和快速开关速度，能够在不影响信号完整性的情况下实现高效的信号切换，并提供过流保护功能。

 5. 消费电子设备
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，SI7905DN-T1-E3可用于充电管理、电源切换、背光驱动等应用。其紧凑的封装（TSSOP-8）和低功耗特性使其非常适合便携式设备的设计需求。

 6. 工业自动化
   在工业自动化系统中，MOSFET阵列用于控制各种传感器、执行器和通信接口。SI7905DN-T1-E3的高可靠性和快速响应能力使其成为工业控制系统中的理想选择，能够确保系统的稳定性和响应速度。

总之，SI7905DN-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关特性和紧凑封装，广泛应用于电源管理、电机控制、电池管理、信号切换以及消费电子和工业自动化等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
产品分类	FET - 阵列
FET功能	标准
FET类型	2 个 P 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI7905DN-T1-E3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	880pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 5A，10V
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8 Dual
功率-最大值	20.8W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8 双
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A