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Datasheet下载- 型号： SI7898DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7898DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7898DP-T1-E3价格参考。VishaySI7898DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7898DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7898DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7898DP-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI7898DP-T1-E3 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）中。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高电源效率。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。 2. 电机控制 在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，MOSFET 作为功率开关元件，能够精确控制电机的转速和方向。SI7898DP-T1-E3 的低导通电阻和快速响应速度使其非常适合这些应用，特别是在需要高效能和小体积设计的情况下。 3. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）和其他便携式电子设备的电池管理系统中，MOSFET 用于电池充放电保护、电流检测和均衡电路。SI7898DP-T1-E3 的低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命，并提高系统的整体可靠性。 4. 负载切换与保护 在消费电子、工业自动化和通信设备中，MOSFET 常用于负载切换和过流保护电路。SI7898DP-T1-E3 可以快速响应过载或短路情况，切断电流路径，保护下游电路免受损坏。其内置的体二极管也能够在反向电流情况下提供一定的保护功能。 5. 太阳能逆变器 在太阳能光伏发电系统中，MOSFET 用于将直流电转换为交流电。SI7898DP-T1-E3 的高效开关特性和低损耗特性使其成为逆变器中的理想选择，能够提高能量转换效率并减少热量产生。 总结： SI7898DP-T1-E3 凭借其低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，在电源管理、电机控制、电池管理、负载保护以及太阳能逆变器等应用场景中表现出色。它的高可靠性和紧凑封装使其成为现代电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8MOSFET 150V 4.8A 0.085Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7898DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7898DP-T1-E3SI7898DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7898DP-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 85 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7898DP-E3 |
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