ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7880ADP-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI7880ADP-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI7880ADP-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7880ADP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7880ADP-T1-E3价格参考。VishaySI7880ADP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7880ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7880ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7880ADP-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）等应用。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的情况下，如USB端口保护、硬盘驱动器供电等，此MOSFET可以用作负载开关，确保快速且低损耗的切换。 4. 电池管理：在便携式电子设备中，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑，该器件可用来实现电池充放电控制及保护功能。 5. 信号放大与缓冲：在某些音频设备或通信系统中，它也可以用作信号放大的驱动级或者缓冲级。 6. 逆变器和变频器：在一些小功率逆变器或变频器设计里，这款MOSFET能够参与高频PWM信号的生成与处理。 总之，SI7880ADP-T1-E3凭借其优异的电气性能和可靠性，在消费类电子产品、工业自动化设备以及汽车电子等领域都有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 83W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7880ADP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7880ADP-T1-E3SI7880ADP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7880ADP-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 120 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7880ADP-E3 |
