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型号： SI7858ADP-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI7858ADP-T1-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7858ADP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7858ADP-T1-E3价格参考￥12.73-￥21.60。VishaySI7858ADP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 12V 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7858ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7858ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	29 A
Id-连续漏极电流	29 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?73164
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7858ADP-T1-E3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI7858ADP-T1-E3SI7858ADP-T1-E3
Pd-PowerDissipation	1.9 W
Pd-功率耗散	1.9 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vds-漏源极击穿电压	12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	40 ns
下降时间	70 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5700pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	80nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
其它名称	SI7858ADP-T1-E3TR SI7858ADPT1E3
典型关闭延迟时间	140 ns
功率-最大值	1.9W
包装	带卷（TR）
商标	Vishay / Siliconix
商标名	TrenchFET/PowerPAK
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
封装/箱体	PowerPAK SO-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	130 S
漏源极电压(Vdss)	12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SI7858ADP-E3