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Datasheet下载- 型号： SI7852ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7852ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7852ADP-T1-GE3价格参考。VishaySI7852ADP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7852ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7852ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7852ADP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7852ADP-T1-GE3 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高转换效率。此外，该器件的快速开关速度有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。 2. 电机驱动 在电机控制领域，特别是无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，SI7852ADP-T1-GE3 可作为功率级开关元件。它能够承受较高的电流和电压瞬变，确保电机运行的稳定性和可靠性。同时，其低导通电阻有助于减少发热，延长电机驱动系统的寿命。 3. 负载切换与保护 该 MOSFET 还可用于负载切换和保护电路中，如过流保护、短路保护等。通过快速响应和低导通电阻，它可以有效地保护下游电路免受过载或短路的影响。此外，其内置的 ESD 保护功能增强了器件的鲁棒性，适合用于消费电子和工业控制设备中。 4. 汽车电子 在汽车电子系统中，SI7852ADP-T1-GE3 可用于车载充电器、电动助力转向（EPS）、车身控制系统等应用。其符合 AEC-Q101 标准，确保了在恶劣环境下的可靠性和稳定性。此外，该器件的小封装尺寸（TOLL 封装）使得其在空间受限的应用中具有优势。 5. 通信设备 在通信基站、服务器电源和其他高性能计算设备中，SI7852ADP-T1-GE3 可用于电源管理和信号调理电路。其低栅极电荷和快速开关特性使其非常适合高频应用，能够提供高效且稳定的电源供应。 总之，SI7852ADP-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用，尤其是在需要高效功率转换和保护的场景中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73988 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7852ADP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7852ADP-T1-GE3SI7852ADP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1825pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7852ADP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7852ADP-GE3 |
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