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  • 型号: SI7852ADP-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI7852ADP-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7852ADP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7852ADP-T1-E3价格参考。VishaySI7852ADP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7852ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7852ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7852ADP-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于高效能、紧凑设计的电源管理应用。

 应用场景

1. 电源管理系统:
   - 直流-直流转换器 (DC-DC):在降压、升压或升降压转换器中,SI7852ADP-T1-E3可以作为主开关管,用于控制电压转换过程中的电流流动,提高转换效率并减少能量损耗。
   - 电池管理系统 (BMS):用于电池充电和放电控制电路中,确保电池的安全运行和延长使用寿命。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机:在电机驱动电路中,该MOSFET可以用作功率级开关,实现对电机转速和方向的精确控制。
   - 电动工具和家电:如吸尘器、风扇等,MOSFET能够快速响应负载变化,提供稳定且高效的驱动能力。

3. 消费电子产品:
   - 笔记本电脑和平板电脑:用于内部电源管理模块,如USB端口保护、背光驱动等,确保设备的稳定供电和低功耗运行。
   - 智能手机和平板电脑:作为负载开关,用于管理不同功能模块的供电状态,优化电池续航时间。

4. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器 (PLC) 和 工业传感器:用于信号隔离和功率传输,确保工业环境中设备的可靠性和安全性。
   - 机器人技术:在运动控制系统中,MOSFET可以实现对伺服电机和其他执行机构的精准控制。

5. 汽车电子:
   - 车载充电系统 (OBC) 和 电动助力转向 (EPS):在电动汽车和混合动力汽车中,该MOSFET能够承受较高的工作温度和电流,保证系统的稳定性和安全性。
   - LED照明:用于车灯驱动电路,提供高效且稳定的电流输出,提升照明效果和寿命。

总之,SI7852ADP-T1-E3凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,特别适合需要高效、紧凑和高性能解决方案的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73988

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7852ADP-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7852ADP-T1-E3SI7852ADP-T1-E3

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

17 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

9 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1825pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7852ADP-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

62.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7852ADP-E3

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