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Datasheet下载- 型号： SI7848BDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7848BDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7848BDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7848BDP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 47A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7848BDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7848BDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7848BDP-T1-GE3 是一款 N 沟道 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该器件适用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统等。它能够高效地进行电压转换和电流控制，确保系统稳定运行。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，可以快速切换导通与截止状态，降低能耗并提高效率。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，SI7848BDP-T1-GE3 可用于构建 H 桥或半桥结构，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，它还适用于电动工具、家电及工业自动化领域的电机驱动。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，它可以保护下游电路免受过流、短路等异常情况的影响。通过外部控制信号，MOSFET 可以迅速切断或接通供电路径，保障系统的安全性。 4. 信号处理与通信：在某些通信模块或数据传输接口中，MOSFET 可用作电平转换器或缓冲器，帮助匹配不同电压等级之间的信号传输。同时，在射频（RF）前端电路中，它也可以充当开关角色，用于天线切换等功能。 5. 汽车电子：符合 AEC-Q101 标准的特性使其特别适合于汽车环境下的应用，如车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、燃油泵控制器等场合。其优异的热性能和可靠性有助于应对严苛的工作条件。 总之，SI7848BDP-T1-GE3 凭借低导通电阻、高击穿电压以及紧凑封装的优势，在众多需要高效功率转换和开关操作的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7848BDP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7848BDP-T1-GE3SI7848BDP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.2 W |
| Pd-功率耗散 | 4.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7848BDP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 30 ns |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7848BDP-GE3 |
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