ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7802DN-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI7802DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI7802DN-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7802DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7802DN-T1-E3价格参考。VishaySI7802DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 250V 1.24A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7802DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7802DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8MOSFET 250V 1.95A 3.8W 435mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 1.24 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73133 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7802DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7802DN-T1-E3SI7802DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 435 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 435 毫欧 @ 1.95A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7802DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 435 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 1.24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.24A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7802DN-E3 |
