数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7501DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7501DN-T1-E3价格参考。VishaySI7501DN-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7501DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7501DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8MOSFET COMPLEMENTARY 30-V (D-S) |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道,共漏 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.4 A |
Id-连续漏极电流 | 6.4 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72173 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7501DN-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7501DN-T1-E3SI7501DN-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms, 28 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms, 28 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 25 V |
上升时间 | 15 ns, 20 ns |
下降时间 | 15 ns, 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 7.7A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
其它名称 | SI7501DN-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 20 ns, 25 ns |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A,4.5A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |
零件号别名 | SI7501DN-E3 |