Datasheet下载- 型号： SI7489DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7489DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7489DP-T1-E3价格参考。VishaySI7489DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7489DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7489DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7489DP-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗，适用于降压、升压或升降压转换器。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 电池管理系统 (BMS)：在电池充放电过程中提供高效的开关功能，同时减少能量损失。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于启动、停止或调速等操作，适合玩具、家用电器和自动化设备中的小型电机。 - H桥电路：与其他MOSFET配合使用，实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机：作为负载开关或电源路径管理的一部分，确保设备在待机模式下的低功耗。 - USB充电接口：用于USB端口的过流保护和快速充电功能。 4. 工业应用 - 信号调理电路：用作高速开关，处理数字信号或模拟信号的传输。 - 继电器替代方案：利用其固态特性，取代机械继电器以提高可靠性和寿命。 5. 汽车电子 - LED驱动：为汽车内外部照明系统提供高效、稳定的电流控制。 - 车身控制模块 (BCM)：用于控制车窗升降、门锁、雨刷等功能的开关操作。 特性优势 - 低导通电阻：减少发热，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 小型封装：节省PCB空间，便于设计紧凑型产品。 总之，SI7489DP-T1-E3凭借其优异的性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和低功耗的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8MOSFET 100V 28A 83W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7489DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7489DP-T1-E3SI7489DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns, 160 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7489DP-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns, 100 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7489DP-E3 |
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