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Datasheet下载- 型号： SI7478DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7478DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7478DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7478DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7478DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7478DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7478DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效功率控制和开关操作的场景。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：SI7478DP-T1-GE3具有低导通电阻（Rds(on)），使其在DC-DC转换器中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高转换效率。 - 负载开关：用于控制电源路径的通断，确保系统在启动或关闭时平稳过渡，避免电流冲击。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：在电机驱动电路中，MOSFET作为开关元件，控制电机绕组的电流流向，实现精确的速度和位置控制。 - 步进电机驱动：通过高速开关特性，MOSFET可以提供高效的电流切换，适用于需要高精度定位的步进电机应用。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护电路：在电池管理系统中，MOSFET用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。其快速响应能力和低导通损耗使得它成为理想的保护元件。 - 电量计：用于监测电池剩余电量，MOSFET可以在电池电量不足时切断负载，防止过度放电。 4. 消费电子设备 - 智能手机和平板电脑：在这些便携式设备中，MOSFET用于电源管理模块，确保设备在待机和工作模式之间的高效切换，延长电池续航时间。 - 笔记本电脑：用于电源适配器和内部电源管理电路，提供稳定的电压输出，同时减少发热和功耗。 5. 工业自动化 - PLC（可编程逻辑控制器）：MOSFET作为输出驱动元件，控制继电器、电磁阀等外部设备的通断，具有响应速度快、可靠性高的特点。 - 伺服驱动器：用于精确控制伺服电机的电流和速度，确保工业自动化系统的稳定运行。 6. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车和混合动力汽车中，MOSFET用于车载充电器的电源转换部分，确保高效且稳定的充电过程。 - LED照明系统：用于控制LED灯的亮度和开关，提供高效的调光功能，同时减少热量产生。 总之，SI7478DP-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛应用于各种需要高效功率控制和开关操作的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72913 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7478DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7478DP-T1-GE3SI7478DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7478DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7478DP-GE3 |
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