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Datasheet下载- 型号： SI7456DDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7456DDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7456DDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7456DDP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 27.8A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7456DDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7456DDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7456DDP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET常用于开关电源中的功率级，作为同步整流器或主开关，帮助提高电源效率，减少能量损耗。 - 电池管理系统：在锂电池或其他类型的电池管理系统中，SI7456DDP-T1-GE3 可用于控制充电电流、放电路径以及保护电路，确保电池的安全性和稳定性。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动应用中，MOSFET 作为功率开关，负责将直流电源转换为电机所需的交流信号。SI7456DDP-T1-GE3 具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提升电机效率。 - 步进电机驱动：在需要精确控制的步进电机驱动中，MOSFET 可以实现快速切换，确保电机平稳运行。 3. 工业自动化 - PLC（可编程逻辑控制器）：在工业控制系统中，MOSFET 用于驱动负载，如电磁阀、继电器等。SI7456DDP-T1-GE3 的高可靠性和低导通损耗使其成为理想选择。 - 伺服系统：在精密伺服控制系统中，MOSFET 负责提供稳定的电流输出，确保伺服电机的精确位置控制。 4. 消费电子产品 - 笔记本电脑和智能手机充电器：在便携式电子设备的充电器中，MOSFET 用于实现高效的电源转换，减少发热并延长设备使用寿命。 - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，MOSFET 可用于控制电源通断，实现远程控制和节能功能。 5. 汽车电子 - 车载充电系统：在电动汽车和混合动力汽车中，MOSFET 用于车载充电器和逆变器，确保高效的能量转换。 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等，MOSFET 用于驱动执行器，确保系统的响应速度和可靠性。 总之，SI7456DDP-T1-GE3 凭借其出色的电气性能和可靠性，在各种电力电子应用中发挥着重要作用，尤其是在需要高效、低损耗的开关操作场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8MOSFET 100volt 23mOhms@10V 27.8A N-Ch T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 27.8 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7456DDP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7456DDP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 35.7 W |
| Pd-功率耗散 | 35.7 W |
| Qg-GateCharge | 9.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7456DDP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 35.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | ThunderFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 26 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27.8A (Tc) |
| 系列 | SI74xxDx |
| 配置 | Single |
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