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Datasheet下载- 型号： SI7454DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7454DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7454DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7454DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 5A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7454DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7454DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7454DP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于开关电源中的DC-DC转换器，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率，减少能量损耗。 - 电池管理系统：在电池管理系统中，SI7454DP用于控制电池的充放电过程，确保电流在安全范围内流动。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动电路中，MOSFET用作开关元件，控制电机绕组的电流流向。其低导通电阻和高耐压能力使其适合驱动大功率电机。 - 步进电机驱动：在步进电机驱动器中，MOSFET用于实现精确的电流控制，确保电机能够准确地执行步进运动。 3. 消费电子产品 - 笔记本电脑和智能手机充电器：该MOSFET常用于这些设备的电源适配器中，作为初级侧或次级侧的开关元件，帮助实现高效的电源转换。 - 智能家居设备：如智能插座、智能灯泡等设备中，MOSFET用于控制电源的通断，实现远程控制功能。 4. 工业应用 - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业自动化系统中，MOSFET用于控制继电器、传感器和其他外部设备的电源供应。 - 逆变器和变频器：在逆变器和变频器中，MOSFET用于将直流电转换为交流电，或调节输出频率和电压，以适应不同负载的需求。 5. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车和混合动力汽车中，MOSFET用于车载充电器的电源管理部分，确保高效且稳定的充电过程。 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等功能模块中，MOSFET用于控制电动机的运行，提供可靠的操作体验。 总之，SI7454DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71618 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7454DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7454DP-T1-GE3SI7454DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7454DP-GE3 |
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