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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7454DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7454DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7454DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7454DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7454DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71618 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7454DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7454DP-T1-GE3SI7454DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 7.8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 1.9W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
系列 | SI74xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7454DP-GE3 |