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Datasheet下载- 型号： SI7450DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7450DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7450DP-T1-E3价格参考￥9.55-￥9.55。VishaySI7450DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 3.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7450DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7450DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7450DP-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET常用于降压或升压型DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器。低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 线性稳压器：在低压差线性稳压器（LDO）中，MOSFET可以用作输出级器件，提供高效的电流控制。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动电路中，MOSFET作为开关元件，控制电机绕组的电流流向，实现精确的速度和位置控制。 - 步进电机驱动：用于步进电机的H桥驱动电路，通过高速开关来控制电机的正反转和速度调节。 3. 电池管理系统 - 电池保护电路：用于锂电池、铅酸电池等的充放电保护电路中，MOSFET可以快速响应过流、短路等异常情况，切断电路以保护电池安全。 - 电量计：在便携式设备中，MOSFET用于精确测量电池的充放电电流，确保电量计的准确性。 4. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和音频放大器的开关控制，确保设备在不同工作模式下的高效运行。 - 笔记本电脑和台式机：用于主板上的电源分配和电压调节模块，确保各个组件获得稳定的供电。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：用于PLC中的输入输出接口，控制外部负载如继电器、指示灯等。 - 伺服控制系统：在高精度伺服系统中，MOSFET用于驱动执行器，实现快速响应和精确控制。 6. 汽车电子 - 车载充电器：用于电动汽车和混合动力汽车的车载充电器中，MOSFET负责高效地将交流电转换为直流电，为电池充电。 - LED照明：在汽车LED大灯和尾灯中，MOSFET用于调光和亮度控制，确保灯光系统的稳定性和可靠性。 总的来说，SI7450DP-T1-E3凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中发挥着重要作用，特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8MOSFET 200V 5.3A 5.2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71432 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7450DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7450DP-T1-E3SI7450DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7450DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7450DP-E3 |
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