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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7439DP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7439DP-T1-E3价格参考。VishaySI7439DP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7439DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7439DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7439DP-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7439DP-T1-E3SI7439DP-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 46 ns |
下降时间 | 46 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 5.2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7439DP-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 115 ns |
功率-最大值 | 1.9W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
系列 | SI74xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7439DP-E3 |