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Datasheet下载- 型号： SI7439DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7439DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7439DP-T1-E3价格参考。VishaySI7439DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7439DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7439DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7439DP-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET常用于降压或升压型DC-DC转换器中，作为主开关元件，控制电流的通断，实现高效的电压转换。 - 负载开关：在电源管理系统中，MOSFET可以用作负载开关，快速响应负载变化，确保系统稳定供电。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：在电机控制系统中，MOSFET作为功率级元件，驱动电机绕组的电流流动，实现精确的速度和位置控制。 - 步进电机：用于步进电机的驱动电路中，提供高效率的电流切换，减少能耗。 3. 电池管理系统 - 锂电池保护电路：MOSFET可以用于电池充放电保护电路中，防止过充、过放和短路等异常情况，确保电池的安全使用。 - 电量监测：通过MOSFET的低导通电阻特性，可以在电池管理系统中实现精准的电流检测和监控。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：MOSFET用于设备内部的电源管理模块，确保各个功能模块的供电稳定性和效率。 - 便携式设备：如蓝牙耳机、智能手表等，MOSFET帮助优化功耗，延长电池续航时间。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：MOSFET作为输出驱动元件，控制外部设备的通断，如继电器、指示灯等。 - 传感器接口：用于传感器信号的调理和传输，确保信号的准确性和可靠性。 6. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车和混合动力汽车中，MOSFET用于车载充电系统的功率转换部分，确保高效充电。 - 车身控制模块：如车窗升降、座椅调节等，MOSFET用于控制电机和其他执行机构的工作。 总结 SI7439DP-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于各种需要高效功率控制和低损耗的应用场景，尤其适合对能效和空间有严格要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7439DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7439DP-T1-E3SI7439DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7439DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7439DP-E3 |
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