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  • 型号: SI7434DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7434DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7434DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7434DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7434DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7434DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7434DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7434DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性。它适用于多种电源管理和信号切换应用,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的电路中。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:SI7434DP-T1-GE3常用于降压或升压DC-DC转换器中,作为主开关管。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率,特别适合便携式设备和电池供电系统。
   - 线性稳压器:在低压差线性稳压器(LDO)中,该MOSFET可以用作旁路开关,以提高系统的响应速度和稳定性。

 2. 负载开关
   - USB端口保护:在USB充电器、移动设备和其他需要保护电路的场合,MOSFET可以用作负载开关,控制电流流向并防止过流、短路等故障。
   - 电池管理系统:在电动汽车、无人机等应用中,MOSFET用于电池充放电的开关控制,确保电池的安全性和延长使用寿命。

 3. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:该MOSFET适用于驱动小型直流电机,如玩具、风扇、泵等。它的快速开关特性和低导通电阻可以有效降低发热,提高电机驱动的效率。
   - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,MOSFET可以用作H桥电路的一部分,实现电机的正反转和速度控制。

 4. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中,MOSFET可以用作模拟开关,切换不同的音频输入或输出通道,同时保持低噪声和高保真度。
   - 传感器信号切换:在多传感器系统中,MOSFET可以用于选择不同的传感器输入,简化电路设计并提高可靠性。

 5. 其他应用
   - LED驱动:在LED照明系统中,MOSFET用于调节LED的亮度和颜色,通过PWM调光技术实现节能和长寿命。
   - 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业控制系统中,MOSFET用于驱动继电器、电磁阀等执行元件,提供高效的开关功能。

总之,SI7434DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI7434DP-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

155 毫欧 @ 3.8A,10V

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供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7434DP-T1-GE3DKR

功率-最大值

1.9W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A (Ta)

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