【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SI7434DP-T1-GE3】封装/厂家_SI7434DP-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI7434DP-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI7434DP-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7434DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7434DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7434DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 250V 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7434DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7434DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI7434DP-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	155 毫欧 @ 3.8A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
其它名称	SI7434DP-T1-GE3DKR
功率-最大值	1.9W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.3A （Ta）

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