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  • 型号: SI7430DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7430DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7430DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7430DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7430DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7430DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7430DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7430DP-T1-GE3 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电力电子和信号处理领域。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):SI7430DP-T1-GE3 适用于开关模式电源中的功率转换部分,如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和效率。
   - 负载开关:在便携式设备中,MOSFET 可以作为负载开关,用于快速切断或接通负载电路,减少功耗并提高电池寿命。

 2. 电机驱动
   - 直流电机控制:该器件可用于驱动小型直流电机,通过PWM(脉宽调制)控制电机的速度和方向。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少发热,提升系统效率。
   - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,MOSFET 能够精确控制电流流动,确保电机平稳运行。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 电池保护:在锂电池等可充电电池组中,MOSFET 可以用作保护元件,防止过充、过放或短路等情况发生,保障电池的安全性和使用寿命。
   - 电量检测:通过精确控制电流路径,MOSFET 可帮助实现电池电量的实时监测。

 4. 消费电子产品
   - 手机和平板电脑:在这些便携设备中,MOSFET 被用于电源管理和外围设备接口,如USB端口、摄像头模块等,确保设备在不同工作状态下都能高效运行。
   - 音频放大器:在音频电路中,MOSFET 可以作为开关或线性放大器,提供稳定的信号传输,减少失真。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口:在工业控制系统中,MOSFET 可用于连接传感器和执行器,确保信号的可靠传递和响应速度。
   - PLC(可编程逻辑控制器):MOSFET 在 PLC 中起到关键作用,控制输入输出信号,实现自动化操作。

 6. 通信设备
   - 基站和路由器:在通信基础设施中,MOSFET 用于电源管理和信号切换,确保设备在高负荷下仍能保持稳定性能。

总之,SI7430DP-T1-GE3 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,在多种应用场景中表现出色,特别适合对效率和可靠性要求较高的电力电子设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.2 A

Id-连续漏极电流

7.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?74282

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7430DP-T1-GE3-

数据手册

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产品型号

SI7430DP-T1-GE3SI7430DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5.2 W

Pd-功率耗散

5.2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

45 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns

下降时间

6 ns, 7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1735pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7430DP-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

22 ns, 20 ns

功率-最大值

64W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

26A (Tc)

系列

SI74xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7430DP-GE3

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