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Datasheet下载- 型号： SI7430DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7430DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7430DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7430DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7430DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7430DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7430DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7430DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，适用于多种电力电子应用场景。以下是该元器件的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7430DP-T1-GE3 常用于开关电源（SMPS）的设计中，特别是在 DC-DC 转换器中作为同步整流器或功率开关。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高转换效率，特别适合低压、大电流的应用场景，如笔记本电脑适配器、服务器电源等。 2. 电机驱动 在电机控制电路中，MOSFET 作为开关元件用于驱动直流电机或步进电机。SI7430DP-T1-GE3 的快速开关特性和低损耗特性使其成为高效电机驱动的理想选择，尤其适用于小型电动工具、无人机、机器人等需要精确控制和高能效的应用。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，MOSFET 用于控制电池充放电回路的通断。SI7430DP-T1-GE3 可以有效地保护电池免受过充、过放、短路等问题的影响。其低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命，广泛应用于电动汽车、储能系统等领域。 4. 负载切换 在需要频繁切换负载的电路中，SI7430DP-T1-GE3 可以作为负载开关使用。它能够快速响应控制信号，实现负载的通断控制，同时保持较低的功耗。常见的应用包括 USB 充电接口、智能插座等消费电子产品。 5. LED 驱动 对于 LED 照明系统，特别是大功率 LED，MOSFET 可以用作恒流源的开关元件。SI7430DP-T1-GE3 的高效率和低热阻特性使其能够在 LED 驱动电路中提供稳定的电流输出，确保 LED 的亮度和寿命。 6. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，MOSFET 用于电源管理和信号处理电路中的开关操作。SI7430DP-T1-GE3 的快速开关特性和低噪声性能使其适用于这些对可靠性和效率要求较高的场合。 总之，SI7430DP-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和精确控制的场景下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74282 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7430DP-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7430DP-T1-GE3SI7430DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6 ns, 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7430DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7430DP-GE3 |
