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SI7430DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7430DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7430DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7430DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7430DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7430DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7430DP-T1-GE3 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电力电子和信号处理领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):SI7430DP-T1-GE3 适用于开关模式电源中的功率转换部分,如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和效率。 - 负载开关:在便携式设备中,MOSFET 可以作为负载开关,用于快速切断或接通负载电路,减少功耗并提高电池寿命。 2. 电机驱动 - 直流电机控制:该器件可用于驱动小型直流电机,通过PWM(脉宽调制)控制电机的速度和方向。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少发热,提升系统效率。 - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,MOSFET 能够精确控制电流流动,确保电机平稳运行。 3. 电池管理系统(BMS) - 电池保护:在锂电池等可充电电池组中,MOSFET 可以用作保护元件,防止过充、过放或短路等情况发生,保障电池的安全性和使用寿命。 - 电量检测:通过精确控制电流路径,MOSFET 可帮助实现电池电量的实时监测。 4. 消费电子产品 - 手机和平板电脑:在这些便携设备中,MOSFET 被用于电源管理和外围设备接口,如USB端口、摄像头模块等,确保设备在不同工作状态下都能高效运行。 - 音频放大器:在音频电路中,MOSFET 可以作为开关或线性放大器,提供稳定的信号传输,减少失真。 5. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,MOSFET 可用于连接传感器和执行器,确保信号的可靠传递和响应速度。 - PLC(可编程逻辑控制器):MOSFET 在 PLC 中起到关键作用,控制输入输出信号,实现自动化操作。 6. 通信设备 - 基站和路由器:在通信基础设施中,MOSFET 用于电源管理和信号切换,确保设备在高负荷下仍能保持稳定性能。 总之,SI7430DP-T1-GE3 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,在多种应用场景中表现出色,特别适合对效率和可靠性要求较高的电力电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74282 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7430DP-T1-GE3- |
数据手册 | |
产品型号 | SI7430DP-T1-GE3SI7430DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
Pd-功率耗散 | 5.2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 6 ns, 7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7430DP-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 22 ns, 20 ns |
功率-最大值 | 64W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A (Tc) |
系列 | SI74xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7430DP-GE3 |