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Datasheet下载- 型号： SI7430DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7430DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7430DP-T1-E3价格参考。VishaySI7430DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7430DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7430DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7430DP-T1-E3 是一款双通道、低导通电阻的负载开关，主要用于电源管理和电路保护。它具有低导通电阻（RDS(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。以下是该元器件的一些典型应用场景： 1. 移动设备和便携式电子产品 在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动设备中，电源管理至关重要。SI7430DP-T1-E3 可以用于控制不同模块的供电，例如摄像头、Wi-Fi 模块、蓝牙模块等。通过精确控制这些模块的供电状态，可以延长电池寿命并优化功耗。 2. USB 接口保护 在 USB 集线器、充电器和其他支持 USB 连接的设备中，SI7430DP-T1-E3 可以用于防止过流、短路等异常情况。它能够在检测到异常时迅速切断电流，保护后端电路免受损坏。此外，它还可以用于实现热插拔功能，确保在插入或拔出设备时不会对系统造成冲击。 3. 多电源系统的切换 在一些复杂的嵌入式系统或多电源架构中，SI7430DP-T1-E3 可以用于在主电源和备用电源之间进行平滑切换。当主电源失效时，负载开关可以快速切换到备用电源，确保系统的持续运行，避免数据丢失或系统崩溃。 4. 传感器和执行器的电源控制 在物联网（IoT）设备中，传感器和执行器通常需要根据工作状态进行动态供电。SI7430DP-T1-E3 可以根据需求开启或关闭这些组件的电源，从而降低待机功耗，延长设备的工作时间。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，SI7430DP-T1-E3 可以用于控制车载信息娱乐系统、导航系统、摄像头等设备的电源。它能够提供可靠的电源管理和保护功能，确保这些设备在复杂的电气环境中稳定工作。 总之，SI7430DP-T1-E3 凭借其低导通电阻、快速响应和高可靠性，广泛应用于各种需要高效电源管理和电路保护的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74282 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7430DP-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7430DP-T1-E3SI7430DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6 ns, 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7430DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7430DP-E3 |
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