ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7430DP-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI7430DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7430DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7430DP-T1-E3价格参考。VishaySI7430DP-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7430DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7430DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7430DP-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号切换应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI7430DP-T1-E3广泛应用于各种电源管理系统中，例如： - DC-DC转换器：该MOSFET可以作为同步整流器或开关元件，用于提高效率并减少能量损耗。 - 负载开关：在便携式设备如智能手机、平板电脑等中，它可以用作负载开关，控制电流流向不同的负载，确保设备在待机时功耗最小化。 - 电池管理系统：用于保护电池免受过充、过放及短路等问题的影响，同时实现高效的充电和放电控制。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人和智能家居设备中的步进电机或直流电机，SI7430DP-T1-E3可以作为功率级元件，提供高效且可靠的电流控制，确保电机平稳运行。 3. 信号切换 该MOSFET还适用于需要高速信号切换的应用场景，例如： - 数据通信设备：在网络交换机、路由器等设备中，它可以用于隔离不同电压域之间的信号传输，确保数据完整性。 - 音频设备：在音频放大器或扬声器保护电路中，用作开关元件，防止信号干扰和损坏敏感组件。 4. 消费电子 在消费电子产品中，如笔记本电脑、智能手表和其他可穿戴设备，SI7430DP-T1-E3能够帮助实现更小尺寸、更低功耗的设计，同时保持高性能。 总之，SI7430DP-T1-E3凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多高要求应用的理想选择，特别适合那些对效率、空间和成本有严格要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74282 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7430DP-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7430DP-T1-E3SI7430DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6 ns, 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7430DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7430DP-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
