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Datasheet下载- 型号： SI7414DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7414DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7414DN-T1-GE3价格参考￥3.50-￥4.38。VishaySI7414DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 5.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7414DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7414DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7414DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7414DN-T1-GE3 常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中表现出色，能够有效降低功耗，提高效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理系统中，这款 MOSFET 可以帮助实现高效的电压调节。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人、电动工具等，SI7414DN-T1-GE3 能够提供快速的开关速度和低损耗。它可以通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机的速度和方向，确保电机运行的稳定性和高效性。 3. 电池保护电路 在锂电池和其他可充电电池组中，MOSFET 用于保护电路，防止过充、过放、短路等情况。SI7414DN-T1-GE3 的低导通电阻和快速响应时间使其成为电池保护电路的理想选择，确保电池的安全性和寿命。 4. 负载开关 在各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等，负载开关用于控制不同模块的供电状态。SI7414DN-T1-GE3 可以作为负载开关使用，通过控制其栅极电压来接通或断开负载，从而实现节能和保护功能。 5. 音频放大器 在音频设备中，如耳机放大器、音响系统等，MOSFET 可以用作功率输出级的一部分。SI7414DN-T1-GE3 的低噪声特性和良好的线性度使其适用于音频信号的放大，确保音质清晰、失真小。 6. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，MOSFET 用于信号处理和功率管理。SI7414DN-T1-GE3 的高频性能和低损耗特性使其适合这些应用，能够在高速数据传输过程中保持稳定的性能。 总之，SI7414DN-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、负载开关、音频放大器和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8MOSFET 60V 8.7A 3.8W 25mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71738 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7414DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7414DN-T1-GE3SI7414DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 8.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7414DN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7414DN-GE3 |
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