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  • 型号: SI7326DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7326DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7326DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7326DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7326DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7326DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 A

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7326DN-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI7326DN-T1-GE3SI7326DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

195 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

195 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

12 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

19.5 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

1.5W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7326DN-GE3

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