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Datasheet下载- 型号： SI7322DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7322DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7322DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7322DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7322DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7322DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7322DN-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，主要用于需要高效、低功耗和高可靠性的应用场景。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7322DN-T1-GE3广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源效率。在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，该MOSFET可以用于电池充电电路、电压调节模块等。 2. 电机控制 在小型电机驱动应用中，SI7322DN-T1-GE3可用于控制电机的启停、调速等功能。其快速开关特性和低导通电阻使其适合于高效驱动无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。此外，它还可以用于风扇、泵等设备的电机控制，确保电机运行稳定且节能。 3. 负载切换 该MOSFET常用于负载切换电路中，尤其是在需要频繁开关的场景下。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、雨刷、空调等设备的电源通断。其快速响应时间和低导通电阻使得负载切换更加平稳，减少了功率损耗。 4. 电池保护 在电池管理系统（BMS）中，SI7322DN-T1-GE3可用于防止过充、过放、短路等情况的发生。通过精确控制电池的充放电路径，该MOSFET能够有效延长电池寿命并提高安全性。它适用于锂离子电池、铅酸电池等多种类型的电池保护电路。 5. 通信设备 在通信基站、路由器、交换机等设备中，SI7322DN-T1-GE3可用于电源管理、信号调理等环节。其低寄生电容和快速开关速度有助于减少信号干扰，提高通信系统的稳定性。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，该MOSFET可用于驱动传感器、执行器等设备。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣环境下长时间稳定工作，适用于工厂自动化、机器人控制等领域。 总之，SI7322DN-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效、低功耗和高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69638 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7322DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7322DN-T1-GE3SI7322DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7322DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7322DN-GE3 |
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