ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI7288DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7288DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7288DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7288DP-T1-GE3价格参考￥5.26-￥5.26。VishaySI7288DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 20A 15.6W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7288DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7288DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7288DP-T1-GE3是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于需要高效、低功耗和紧凑设计的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7288DP-T1-GE3常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在这些应用中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高效率。此外，其快速开关速度有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源。 2. 电机控制 在电机驱动和控制电路中，SI7288DP-T1-GE3可以作为驱动级的一部分，用于控制电机的启停、转向和调速。由于其低导通电阻和快速响应时间，能够提供高效的电流控制，同时减少发热，延长电机的使用寿命。 3. 消费电子产品 该器件适用于各种消费电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以用作负载开关，控制不同模块的供电状态，以实现节能和延长电池寿命。此外，它还可以用于USB充电接口的保护电路，防止过流和短路。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，SI7288DP-T1-GE3可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动电路。其高可靠性和低功耗特性使其成为工业控制系统中的理想选择，尤其是在需要长时间稳定运行的环境中。 5. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机和基站，SI7288DP-T1-GE3可以用于电源管理和信号切换。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统的整体性能和可靠性，同时减少电磁干扰（EMI）。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，该器件可用于车载电源管理、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）等应用。其符合AEC-Q101标准，确保了在严苛的汽车环境下的可靠性和稳定性。 总之，SI7288DP-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关速度和紧凑封装，广泛应用于电源管理、电机控制、消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等多个领域，为各种应用提供了高效、可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8MOSFET 40V 20A DUAL N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7288DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7288DP-T1-GE3SI7288DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 15.6 W |
| Pd-功率耗散 | 15.6 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 2.8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 565pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7288DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 15.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 39 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7288DP-GE3 |
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