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Datasheet下载- 型号： SI7234DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7234DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7234DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7234DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 12V 60A 46W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7234DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7234DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7234DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于多种电力电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和控制的应用场景中。以下是该元器件的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7234DP-T1-GE3 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电池管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）可以减少传导损耗，提高电源转换效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，能够快速响应电压变化，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。由于其快速开关特性和低损耗，能够在电机启动、加速、减速和制动过程中提供高效的电流控制，减少能量损失并延长电机寿命。 3. 负载开关 SI7234DP-T1-GE3 可用作负载开关，控制电路中的电流流动。它可以在需要时迅速切断或接通负载，适用于消费电子设备、工业控制系统和通信设备中的电源管理模块。其低导通电阻有助于减少发热，提升系统的可靠性和安全性。 4. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，MOSFET 是核心元件之一，负责将直流电转换为交流电或将频率进行调节。SI7234DP-T1-GE3 的快速开关速度和低损耗特性使其非常适合这些应用场景，能够提高转换效率并减少谐波失真。 5. 保护电路 该 MOSFET 还可用于过流保护、短路保护和热保护等电路中。通过检测电流或温度的变化，MOSFET 可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件，从而提高整个系统的安全性和可靠性。 6. 便携式设备 在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，SI7234DP-T1-GE3 可用于电源管理和充电电路，帮助优化电池使用时间并提高充电效率。 总之，SI7234DP-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为许多电力电子应用的理想选择，特别适合对效率和响应速度有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8MOSFET 12V 60A 46W 3.4mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7234DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7234DP-T1-GE3SI7234DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 20A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7234DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI7234DP-GE3 |
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