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Datasheet下载- 型号： SI7234DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7234DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7234DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7234DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 12V 60A 46W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7234DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7234DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7234DP-T1-GE3是一款双通道N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 SI7234DP-T1-GE3常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功耗，提高电源转换效率，特别适用于便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等对能效要求较高的产品。 2. 负载开关 在负载开关应用中，该器件能够快速响应并精确控制电流的通断，确保系统的稳定性和安全性。例如，在USB接口供电管理中，它可以防止过流、短路等异常情况的发生，保护下游电路免受损坏。 3. 电机驱动 对于小型直流电机或步进电机的驱动，SI7234DP-T1-GE3可以作为功率级元件，提供高效的电流控制。其低导通电阻有助于减少发热，延长电机使用寿命，并且支持PWM调速，实现更精细的速度控制。 4. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，该MOSFET阵列可用于电池充放电路径的控制，确保电池在安全的工作范围内运行。它还可以用于电池均衡电路，通过精确的电流控制来平衡各个电池单元之间的电压差异，延长电池组的整体寿命。 5. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，SI7234DP-T1-GE3可用于信号链路中的开关控制，确保信号传输的可靠性和稳定性。此外，它还可以用于射频前端模块中的电源管理，以优化功耗和性能。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等场合，实现对执行机构（如电磁阀、继电器）的精准控制。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 总之，SI7234DP-T1-GE3凭借其优异的电气特性、紧凑的封装以及广泛的适用性，成为众多电子设备中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8MOSFET 12V 60A 46W 3.4mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7234DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7234DP-T1-GE3SI7234DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 20A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7234DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI7234DP-GE3 |
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