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Datasheet下载- 型号： SI7174DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7174DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7174DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7174DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7174DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7174DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7174DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），专为多种应用场景设计，尤其适用于需要高效、低损耗开关操作的电路。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7174DP-T1-GE3广泛应用于各种电源管理系统中，包括直流-直流转换器（DC-DC）、开关电源（SMPS）和电池充电电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和其他便携式电子设备的电源管理模块中，该MOSFET可以用于电压调节和电流控制。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，SI7174DP-T1-GE3可用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流脉冲，并且具有快速的开关特性，适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他小型电机的驱动电路。此外，其低导通电阻有助于减少发热，延长器件寿命。 3. 负载开关 该MOSFET可用作负载开关，控制电路中的电流流动。它可以在系统上电或断电时迅速切断或接通负载，防止过电流或短路情况下的损坏。典型应用包括USB端口保护、汽车电子系统中的负载切换以及工业自动化设备中的信号隔离。 4. 电池保护 在电池管理系统中，SI7174DP-T1-GE3可用于防止过充、过放和短路等异常情况。通过精确控制充电和放电路径，它可以确保电池的安全性和长寿命。特别是在锂离子电池组中，MOSFET的低导通电阻有助于降低功耗，提高整体能效。 5. 通信设备 在通信设备如路由器、交换机和基站中，SI7174DP-T1-GE3可用于电源管理和信号处理电路。它的高频开关能力和低栅极电荷使其非常适合高速数据传输环境中的电源调节和信号调理任务。 总结 SI7174DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电子设备中不可或缺的关键元件。无论是消费电子产品、工业控制系统还是通信基础设施，它都能提供高效的开关解决方案，确保系统的稳定运行和能源效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 60A PPAK 8SOICMOSFET 75V 60A 104W 7.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7174DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7174DP-T1-GE3SI7174DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2770pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7174DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7174DP-GE3 |
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