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SI7172DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7172DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7172DP-T1-GE3价格参考¥9.62-¥9.62。VishaySI7172DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 25A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7172DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7172DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7172DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用微型封装设计(如 TSOT23-3 封装),具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:适用于降压、升压或升降压转换器中的开关管,提供高效的功率传输。 - 负载开关:用于动态控制电路的开启和关闭,减少功耗并保护电路。 - 电池管理系统 (BMS):用于电池充电/放电路径的控制,确保电流安全流动。 2. 消费电子设备 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,需要高效的小型化功率器件。 - USB 充电接口:用作 USB 端口的开关或保护元件,支持快速充电功能。 3. 工业应用 - 电机驱动:用于小型直流电机的驱动控制,实现正转、反转或调速功能。 - 信号隔离与保护:在工业控制系统中作为隔离开关或过流保护元件。 4. 通信设备 - 网络路由器/交换机:用于电源模块中的电压调节和电流控制。 - 基站电源:在低功耗基站中作为关键的功率开关元件。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:为音频放大器或其他子系统提供稳定的电源管理。 - 辅助功能控制:如车窗升降、座椅调节等小功率负载的控制。 特性优势 - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。 - 小型封装:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 - 高可靠性:满足多种严苛环境下的工作需求。 综上所述,SI7172DP-T1-GE3 广泛应用于需要高效、小型化和可靠性的电子系统中,特别适合对空间和能耗有严格要求的产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8MOSFET 200V 25A 96W 70mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 5.9 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7172DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7172DP-T1-GE3SI7172DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5.4 W |
Pd-功率耗散 | 5.4 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns, 11 ns |
下降时间 | 10 ns, 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 5.9A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7172DP-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 24 ns, 26 ns |
功率-最大值 | 96W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 70 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 5.9 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
系列 | SI71xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | SI7172DP-GE3 |