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型号： SI7172DP-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI7172DP-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7172DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7172DP-T1-GE3价格参考￥9.62-￥9.62。VishaySI7172DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 200V 25A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7172DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7172DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8MOSFET 200V 25A 96W 70mohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	5.9 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7172DP-T1-GE3TrenchFET®
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产品型号	SI7172DP-T1-GE3SI7172DP-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	5.4 W
Pd-功率耗散	5.4 W
RdsOn-漏源导通电阻	70 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	12 ns, 11 ns
下降时间	10 ns, 9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2250pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	77nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	70 毫欧 @ 5.9A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
其它名称	SI7172DP-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	24 ns, 26 ns
功率-最大值	96W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	70 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
封装/箱体	PowerPAK SO-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	200 V
漏极连续电流	5.9 A
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	25A （Tc）
系列	SI71xxDx
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	SI7172DP-GE3