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  • 型号: SI7172DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7172DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7172DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7172DP-T1-GE3价格参考¥9.62-¥9.62。VishaySI7172DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 25A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7172DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7172DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7172DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用微型封装设计(如 TSOT23-3 封装),具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:适用于降压、升压或升降压转换器中的开关管,提供高效的功率传输。
   - 负载开关:用于动态控制电路的开启和关闭,减少功耗并保护电路。
   - 电池管理系统 (BMS):用于电池充电/放电路径的控制,确保电流安全流动。

 2. 消费电子设备
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,需要高效的小型化功率器件。
   - USB 充电接口:用作 USB 端口的开关或保护元件,支持快速充电功能。

 3. 工业应用
   - 电机驱动:用于小型直流电机的驱动控制,实现正转、反转或调速功能。
   - 信号隔离与保护:在工业控制系统中作为隔离开关或过流保护元件。

 4. 通信设备
   - 网络路由器/交换机:用于电源模块中的电压调节和电流控制。
   - 基站电源:在低功耗基站中作为关键的功率开关元件。

 5. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:为音频放大器或其他子系统提供稳定的电源管理。
   - 辅助功能控制:如车窗升降、座椅调节等小功率负载的控制。

 特性优势
- 低导通电阻:降低功耗,提高效率。
- 小型封装:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
- 高可靠性:满足多种严苛环境下的工作需求。

综上所述,SI7172DP-T1-GE3 广泛应用于需要高效、小型化和可靠性的电子系统中,特别适合对空间和能耗有严格要求的产品设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8MOSFET 200V 25A 96W 70mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

5.9 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7172DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7172DP-T1-GE3SI7172DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5.4 W

Pd-功率耗散

5.4 W

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns, 11 ns

下降时间

10 ns, 9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2250pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

77nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

70 毫欧 @ 5.9A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7172DP-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

24 ns, 26 ns

功率-最大值

96W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

70 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

5.9 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

系列

SI71xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SI7172DP-GE3

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