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Datasheet下载- 型号： SI7164DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7164DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7164DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7164DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7164DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7164DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7164DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于开关模式电源（SMPS）中的降压、升压或反激式变换器。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效降低功耗，提高电源效率。 - 负载开关：在便携式设备中，如智能手机、平板电脑等，MOSFET用作负载开关，控制电路的通断，确保设备在待机时消耗更少的电流。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机。MOSFET作为功率级元件，能够精确控制电机的启动、停止和速度调节。 - H桥电路：在需要双向控制电机的应用中，MOSFET常用于H桥电路，实现电机的正反转和制动功能。 3. 电池管理系统 - 电池保护电路：在锂电池或其他可充电电池组中，MOSFET用于过流保护、短路保护和过充/过放保护。它能够在异常情况下迅速切断电路，防止电池损坏。 - 电量监测：通过控制MOSFET的开关状态，可以实现对电池电量的实时监测和管理。 4. 信号切换 - 模拟信号切换：在音频设备、通信设备等需要频繁切换信号路径的场合，MOSFET可以用作模拟开关，具有低导通电阻和低电容特性，确保信号传输的高保真度。 - 数字信号隔离：在工业控制系统中，MOSFET可以用于隔离不同电压域之间的数字信号，防止干扰和损坏敏感电路。 5. 汽车电子 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等，MOSFET用于驱动执行器和传感器，确保系统的可靠性和响应速度。 - LED照明系统：在汽车LED灯中，MOSFET用于控制电流，确保LED灯的亮度和寿命。 总之，SI7164DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用，特别是在需要高效能、低损耗和快速响应的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8MOSFET 60V 60A 104W 6.25mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 23.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7164DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7164DP-T1-GE3SI7164DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2830pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.25 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7164DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7164DP-GE3 |
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