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Datasheet下载- 型号： SI7164DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7164DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7164DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7164DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7164DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7164DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7164DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI7164DP-T1-GE3 可用于开关电源、DC-DC 转换器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。该器件的低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流应用中表现出色，特别适合需要频繁开关的场景。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，MOSFET 作为功率开关元件，负责控制电机的启动、停止和速度调节。SI7164DP-T1-GE3 的快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机驱动系统的效率，降低发热，延长系统寿命。它适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等各类电机控制系统。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，MOSFET 用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。SI7164DP-T1-GE3 的低导通电阻可以减少电池充放电过程中的能量损失，提升电池的整体性能和安全性。此外，它的快速响应能力也有助于及时切断电路，防止潜在的危险。 4. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中，MOSFET 是核心的功率开关元件，负责将直流电转换为交流电或将频率进行调整。SI7164DP-T1-GE3 的高效开关特性使得它能够在高频工作状态下保持较低的功耗，适用于太阳能逆变器、工业变频器等场合。 5. 负载切换与保护 SI7164DP-T1-GE3 还可用于负载切换和保护电路中，例如在汽车电子、消费电子等领域。它可以快速响应负载变化，确保系统稳定运行，并在异常情况下迅速切断电流，保护电路免受损坏。 总之，SI7164DP-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在对效率、响应速度和安全性有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8MOSFET 60V 60A 104W 6.25mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 23.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7164DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7164DP-T1-GE3SI7164DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2830pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.25 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7164DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7164DP-GE3 |
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