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Datasheet下载- 型号： SI7145DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7145DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7145DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7145DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7145DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7145DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7145DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率管理、低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于降压或升压型DC-DC转换器中的开关元件，能够提供高效的功率转换。低导通电阻有助于减少传导损耗，提高整体效率。 - 线性稳压器：在低压差线性稳压器（LDO）中，MOSFET可以用作旁路开关，以实现更灵活的电压调节。 2. 电机控制 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、家电和工业自动化设备中，MOSFET用于驱动无刷直流电机，提供精确的速度控制和高效的能量传输。 - 步进电机驱动：在精密定位系统中，如3D打印机和数控机床，MOSFET用于控制步进电机的电流，确保平稳运行和高精度。 3. 负载开关 - 电池管理系统（BMS）：在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，MOSFET作为负载开关，用于保护电池免受过流、短路等故障的影响。 - 汽车电子：在汽车应用中，MOSFET可以用于控制各种负载，如车灯、雨刷器和电动座椅等，确保安全可靠的电气连接。 4. 信号切换 - 高速数据通信：在高速数据通信接口（如USB、PCIe）中，MOSFET可以用作信号切换元件，确保信号的完整性和可靠性。 - 音频信号切换：在音响设备和耳机放大器中，MOSFET用于切换不同的输入源，保证音质不受干扰。 5. 太阳能逆变器 - 光伏系统：在太阳能逆变器中，MOSFET用于将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换和并网操作。 总结 SI7145DP-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域，特别适合对能效和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 60 A |
| Id-连续漏极电流 | - 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7145DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7145DP-T1-GE3SI7145DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 129 nC |
| Qg-栅极电荷 | 129 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 413nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7145DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 110 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7145DP-GE3 |
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