【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SI7137DP-T1-GE3】封装/厂家_SI7137DP-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI7137DP-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI7137DP-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7137DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7137DP-T1-GE3价格参考￥9.00-￥17.70。VishaySI7137DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7137DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7137DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8MOSFET -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	42 A
Id-连续漏极电流	42 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
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产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7137DP-T1-GE3TrenchFET®
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产品型号	SI7137DP-T1-GE3SI7137DP-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	104 W
Pd-功率耗散	104 W
Qg-GateCharge	183 nC
Qg-栅极电荷	183 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.95 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.95 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	150 ns
下降时间	110 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	20000pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	585nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.95 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
其它名称	SI7137DP-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	230 ns
功率-最大值	104W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
封装/箱体	PowerPAK SO-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	95 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	60A （Tc）
系列	SI71xxDx
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	SI7137DP-GE3

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