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Datasheet下载- 型号： SI7117DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7117DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7117DN-T1-E3价格参考。VishaySI7117DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7117DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7117DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7117DN-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电力电子应用场景中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7117DN-T1-E3 常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为功率开关器件。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高系统的效率。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在高电流应用中发热较少，适合用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中，例如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。通过精确控制栅极电压，可以实现对电机转速和方向的精准调节。由于其快速开关特性和低损耗，能够在高频驱动下保持较高的工作效率，适用于电动工具、家用电器等领域。 3. 电池保护与管理 在电池管理系统（BMS）中，SI7117DN-T1-E3 可以用作电池充放电路径的开关，确保电池在安全范围内工作。当检测到过流、过压或欠压等情况时，MOSFET 能够迅速切断电路，保护电池不受损坏。此外，它还可以用于电池均衡电路中，帮助延长电池寿命。 4. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中，如USB端口供电控制、LED背光驱动等，SI7117DN-T1-E3 可以作为负载开关使用。它能够快速响应外部控制信号，实现对负载的精确控制，并且具有较低的导通损耗，确保系统稳定运行。 5. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，SI7117DN-T1-E3 可用于电源分配网络中的开关元件，确保各个模块得到稳定的电源供应。其低电磁干扰（EMI）特性也有助于减少对其他电路的影响，保证通信质量。 总之，SI7117DN-T1-E3 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效、低损耗电力控制的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73478 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7117DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7117DN-T1-E3SI7117DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7117DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 12.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.17A (Tc) |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7117DN-E3 |
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