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  • 型号: SI7115DN-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7115DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7115DN-T1-E3价格参考。VishaySI7115DN-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7115DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7115DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7115DN-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,能够高效地控制电压转换。
   - 负载开关:在便携式设备中作为负载开关,实现快速开启和关闭功能,降低功耗。
   - 电池保护:在电池管理系统中,用于防止过流、短路或反向电流。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于低功率电机驱动,例如风扇、泵或玩具电机,提供高效的开关性能。
   - H桥电路:在双向电机控制中作为开关元件,支持正转和反转操作。

 3. 信号切换
   - 音频信号切换:用于音频设备中的信号通道切换,确保低失真和高保真度。
   - 数据线路切换:在通信设备中切换不同的数据路径,减少信号干扰。

 4. 消费电子产品
   - 智能手机和平板电脑:用于电源管理和外围设备接口的开关控制。
   - USB充电保护:在USB端口设计中,用作过流保护和快速切换开关。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,可替代传统机械继电器。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):典型值为8.5mΩ(Vgs=10V),减少传导损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。
- 小封装(DFN2020-6L):节省PCB空间,适合紧凑型设计。

综上所述,SI7115DN-T1-E3凭借其优异的电气特性和小型化设计,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域,是高效能、低功耗设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8MOSFET 150V 8.9A 52W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.3 A

Id-连续漏极电流

2.3 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7115DN-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7115DN-T1-E3SI7115DN-T1-E3

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

295 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

295 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

- 150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

95 ns, 28 ns

下降时间

34 ns, 35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1190pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

295 毫欧 @ 4A,10V

产品种类

P-Channel MOSFETs

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

典型关闭延迟时间

38 ns, 52 ns

功率-最大值

52W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.9A (Tc)

系列

SI71xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7115DN-E3

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