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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7115DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7115DN-T1-E3价格参考。VishaySI7115DN-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7115DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7115DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7115DN-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,能够高效地控制电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中作为负载开关,实现快速开启和关闭功能,降低功耗。 - 电池保护:在电池管理系统中,用于防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率电机驱动,例如风扇、泵或玩具电机,提供高效的开关性能。 - H桥电路:在双向电机控制中作为开关元件,支持正转和反转操作。 3. 信号切换 - 音频信号切换:用于音频设备中的信号通道切换,确保低失真和高保真度。 - 数据线路切换:在通信设备中切换不同的数据路径,减少信号干扰。 4. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于电源管理和外围设备接口的开关控制。 - USB充电保护:在USB端口设计中,用作过流保护和快速切换开关。 5. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,可替代传统机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):典型值为8.5mΩ(Vgs=10V),减少传导损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小封装(DFN2020-6L):节省PCB空间,适合紧凑型设计。 综上所述,SI7115DN-T1-E3凭借其优异的电气特性和小型化设计,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域,是高效能、低功耗设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8MOSFET 150V 8.9A 52W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7115DN-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7115DN-T1-E3SI7115DN-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
Pd-功率耗散 | 3.7 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 295 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 295 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 95 ns, 28 ns |
下降时间 | 34 ns, 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 295 毫欧 @ 4A,10V |
产品种类 | P-Channel MOSFETs |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
典型关闭延迟时间 | 38 ns, 52 ns |
功率-最大值 | 52W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 50 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.9A (Tc) |
系列 | SI71xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7115DN-E3 |