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  • 型号: SI7114ADN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7114ADN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7114ADN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7114ADN-T1-GE3价格参考。VishaySI7114ADN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7114ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7114ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7114ADN-T1-GE3是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:该MOSFET常用于降压或升压型DC-DC转换器中,作为开关元件,控制电流的通断,以实现高效的电压转换。
   - 负载开关:在电源管理系统中,MOSFET可以用作负载开关,快速响应负载的变化,确保系统在启动、关闭或故障时的安全性和稳定性。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机(BLDC)控制:在电机驱动应用中,MOSFET用于控制电机的相位电流,特别是在无刷直流电机中,它可以通过PWM(脉宽调制)信号精确控制电机的速度和扭矩。
   - 步进电机驱动:MOSFET可以用于步进电机的驱动电路中,提供高效率的电流切换,减少功耗并提高系统的响应速度。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 电池充放电保护:在电池管理系统中,MOSFET用于控制电池的充放电过程,防止过充、过放或短路等异常情况,保护电池的安全。
   - 电量监测:通过MOSFET的低导通电阻特性,可以在不影响电流的情况下进行电池电量的实时监测。

 4. 消费电子设备
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,MOSFET用于电源管理和外围接口的控制,确保设备在低功耗模式下的高效运行。
   - USB充电器:在USB充电器中,MOSFET用于调节输出电压和电流,确保安全快速的充电。

 5. 工业自动化
   - PLC控制系统:在可编程逻辑控制器(PLC)中,MOSFET用于控制各种传感器、执行器和其他外围设备,实现工业自动化系统的高效运行。
   - 伺服驱动器:MOSFET在伺服驱动器中用于精确控制电机的位置和速度,广泛应用于机器人、数控机床等领域。

 6. 汽车电子
   - 车载电源系统:在汽车电子中,MOSFET用于车载电源系统的开关控制,确保车辆电气系统的稳定性和可靠性。
   - 电动助力转向系统(EPS):MOSFET用于电动助力转向系统的电机驱动,提供高效、可靠的电流控制。

总的来说,SI7114ADN-T1-GE3凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种需要高效电源管理和电流控制的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8MOSFET 30V 35A 39W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7114ADN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7114ADN-T1-GE3SI7114ADN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

14 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1230pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 毫欧 @ 18A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SI7114ADN-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

39W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

50 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7114ADN-GE3

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