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Datasheet下载- 型号： SI7113DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7113DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7113DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7113DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7113DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7113DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7113DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点，适用于多种电力电子应用领域。以下是该元器件的一些典型应用场景： 1. 电源管理 SI7113DN-T1-GE3 常用于开关电源（SMPS）中的功率级控制。由于其低导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中能够减少功耗，提高转换效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中，它可以作为主开关管或同步整流管，帮助实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路中，MOSFET 是关键组件之一。SI7113DN-T1-GE3 的快速开关特性和低损耗特性使其成为理想的驱动元件。它可以在高频下工作，减少电机驱动中的电磁干扰（EMI），并提高系统的响应速度和稳定性。 3. 电池管理系统 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中，MOSFET 可以用作充放电路径的开关。SI7113DN-T1-GE3 的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命。此外，它还可以用于过流保护、短路保护等功能，确保电池的安全使用。 4. 消费电子产品 许多消费电子产品如平板电脑、智能手表、智能家居设备等都需要高效的电源管理和信号切换。SI7113DN-T1-GE3 可以用于这些产品的电源管理模块，提供稳定的电压输出，并在需要时迅速切断电流，以节省电量。 5. 工业自动化 在工业自动化系统中，MOSFET 被广泛用于各种控制电路和传感器接口。SI7113DN-T1-GE3 的耐用性和可靠性使其适合应用于恶劣环境下的工业设备，如机器人控制器、PLC（可编程逻辑控制器）等。 总之，SI7113DN-T1-GE3 凭借其优异的性能和广泛的适用性，在现代电子设计中扮演着重要角色，特别是在对效率和可靠性要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73770 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7113DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7113DN-T1-GE3SI7113DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 134 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 134 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 134 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7113DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.2A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7113DN-GE3 |
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