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产品简介:
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参数 | 数值 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 3.9A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
其它名称 | SI6925ADQ-T1-E3CT |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A |