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SI6562DQ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6562DQ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6562DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6562DQ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 1W 表面贴装 8-TSSOP。您可以下载SI6562DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6562DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6562DQ-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关应用,提供高效的电流控制。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流器或主开关使用,降低导通损耗并提高效率。 - 电池保护:用于电池管理系统 (BMS),实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制。 2. 消费电子 - 音频放大器:在小型音频设备中用作输出级开关,提供低失真和高保真性能。 - USB 端口控制:在 USB-C 和其他接口中实现快速切换和电流限制功能。 - 背光驱动:用于 LCD 屏幕背光驱动电路,提供精确的电流调节。 3. 通信与网络设备 - 信号切换:在路由器、交换机等设备中用作信号路径切换,确保低插入损耗和高隔离度。 - 功率分配:在网络服务器和通信基站中实现高效的功率分配和管理。 4. 工业自动化 - 电机控制:用于小型直流电机的启动、停止和速度控制,支持快速响应和低功耗运行。 - 传感器接口:在工业传感器系统中作为开关元件,实现信号的精确传输和处理。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器、显示屏背光和其他外围设备的电源管理。 - LED 驱动:为车内照明系统提供高效、稳定的电流驱动。 - 辅助电源模块:在汽车电子控制单元 (ECU) 中实现电源切换和保护功能。 6. 优势特点 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高整体效率。 - 小型封装 (DFN 封装):节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 - 高开关速度:适用于高频应用,减少开关损耗。 - 出色的热性能:能够在高温环境下稳定工作,延长产品寿命。 综上所述,SI6562DQ-T1-GE3 凭借其高性能和紧凑设计,广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化以及汽车电子等领域,满足多种高效开关和电源管理需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOPMOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?70720 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6562DQ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI6562DQ-T1-GE3SI6562DQ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms 40 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 40 ns, 30 ns |
下降时间 | 40 ns, 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 4.5A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
其它名称 | SI6562DQ-T1-GE3TR |
典型关闭延迟时间 | 50 ns, 57 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 23 mOhms, 40 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
封装/箱体 | TSSOP-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 4.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
系列 | SI6562DQ |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI6562DQ-GE3 |