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  • 型号: SI6562DQ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI6562DQ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI6562DQ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6562DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6562DQ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 1W 表面贴装 8-TSSOP。您可以下载SI6562DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6562DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI6562DQ-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关应用,提供高效的电流控制。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流器或主开关使用,降低导通损耗并提高效率。
   - 电池保护:用于电池管理系统 (BMS),实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制。

 2. 消费电子
   - 音频放大器:在小型音频设备中用作输出级开关,提供低失真和高保真性能。
   - USB 端口控制:在 USB-C 和其他接口中实现快速切换和电流限制功能。
   - 背光驱动:用于 LCD 屏幕背光驱动电路,提供精确的电流调节。

 3. 通信与网络设备
   - 信号切换:在路由器、交换机等设备中用作信号路径切换,确保低插入损耗和高隔离度。
   - 功率分配:在网络服务器和通信基站中实现高效的功率分配和管理。

 4. 工业自动化
   - 电机控制:用于小型直流电机的启动、停止和速度控制,支持快速响应和低功耗运行。
   - 传感器接口:在工业传感器系统中作为开关元件,实现信号的精确传输和处理。

 5. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器、显示屏背光和其他外围设备的电源管理。
   - LED 驱动:为车内照明系统提供高效、稳定的电流驱动。
   - 辅助电源模块:在汽车电子控制单元 (ECU) 中实现电源切换和保护功能。

 6. 优势特点
   - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高整体效率。
   - 小型封装 (DFN 封装):节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
   - 高开关速度:适用于高频应用,减少开关损耗。
   - 出色的热性能:能够在高温环境下稳定工作,延长产品寿命。

综上所述,SI6562DQ-T1-GE3 凭借其高性能和紧凑设计,广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化以及汽车电子等领域,满足多种高效开关和电源管理需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOPMOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?70720

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6562DQ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI6562DQ-T1-GE3SI6562DQ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-漏源导通电阻

23 mOhms 40 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

40 ns, 30 ns

下降时间

40 ns, 30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

600mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-TSSOP

其它名称

SI6562DQ-T1-GE3TR
SI6562DQT1GE3

典型关闭延迟时间

50 ns, 57 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

23 mOhms, 40 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

封装/箱体

TSSOP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

4.5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

系列

SI6562DQ

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI6562DQ-GE3

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