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Datasheet下载- 型号： SI6463BDQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SI6463BDQ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6463BDQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6463BDQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6463BDQ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP。您可以下载SI6463BDQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6463BDQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOPMOSFET 20V 7.4A 1.5W 15mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72018 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6463BDQ-T1-GE3SI6463BDQ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6463BDQ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 190 ns |
| 功率-最大值 | 1.05W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 系列 | SI6463BDQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI6463BDQ-GE3 |
