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Datasheet下载- 型号： SI6423DQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI6423DQ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6423DQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6423DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6423DQ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP。您可以下载SI6423DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6423DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI6423DQ-T1-GE3是一款单通道N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景非常广泛，尤其是在需要高效、低损耗开关的应用中。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理 SI6423DQ-T1-GE3常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器和开关电源。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高电源效率。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关电源设计，减少能量损失。 2. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，MOSFET用于控制电池的充放电过程。SI6423DQ-T1-GE3可以作为电池与负载之间的开关，确保在过流、过温或短路等异常情况下迅速切断电路，保护电池和相关设备的安全。 3. 电机驱动 MOSFET在电机驱动应用中扮演着重要角色，尤其是无刷直流电机（BLDC）和步进电机。SI6423DQ-T1-GE3可用于电机的H桥驱动电路，通过精确控制电流的方向和大小来实现电机的速度和方向调节。其低导通电阻有助于减少发热，延长电机驱动系统的寿命。 4. 负载开关 在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，负载开关用于管理和分配电源。SI6423DQ-T1-GE3可以作为高效的负载开关，快速响应负载变化，确保设备在待机或休眠模式下消耗尽可能少的电量。 5. 信号切换 在通信和数据传输系统中，MOSFET可以用作信号切换元件。SI6423DQ-T1-GE3能够快速切换不同的信号路径，确保信号的完整性和稳定性。其低寄生电容和快速开关速度使其适合高速信号处理应用。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，MOSFET用于驱动传感器、执行器和其他外围设备。SI6423DQ-T1-GE3的高可靠性和耐用性使其成为工业环境中理想的选择，能够在恶劣的工作条件下长期稳定运行。 总之，SI6423DQ-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域，特别是在需要高效开关和低功耗的场合表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOPMOSFET 12V 9.5A 1.5W 8.5mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72257 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6423DQ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6423DQ-T1-GE3SI6423DQ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.05 W |
| Pd-功率耗散 | 1.05 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 75 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 400µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6423DQ-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 270 ns |
| 功率-最大值 | 1.05W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 8.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.2A （Ta） |
| 系列 | SI6423DQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI6423DQ-GE3 |
