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型号： SI5936DU-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI5936DU-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5936DU-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5936DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5936DU-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6A 10.4W 表面贴装 PowerPAK® ChipFet 双。您可以下载SI5936DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5936DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFETMOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	6 A
Id-连续漏极电流	6 A
品牌	Vishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5936DU-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI5936DU-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	2.3 W
Pd-功率耗散	2.3 W
Qg-GateCharge	11 nC
Qg-栅极电荷	11 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	30 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	30 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.2 V
上升时间	65 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	320pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	30 毫欧 @ 5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® ChipFet 双
其它名称	SI5936DU-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	15 ns
功率-最大值	10.4W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® CHIPFET™ 双
封装/箱体	1206-8 ChipFET
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	11 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A
通道模式	Enhancement