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型号： SI5920DC-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5920DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5920DC-T1-E3价格参考。VishaySI5920DC-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 8V 4A 3.12W 表面贴装 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5920DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5920DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI5920DC-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 负载开关：SI5920DC-T1-E3 可用于控制电路中的负载通断，实现高效的电源管理。
   - 电压调节：在 DC-DC 转换器或 LDO（低压差线性稳压器）中作为功率开关使用。
   - 电池保护：可用于防止电池过充、过放或短路。

 2. 信号切换
   - 多路复用/解复用：在需要切换多个信号源的场景中，如音频、视频或数据信号切换。
   - 继电器替代：通过 MOSFET 实现更快速、更可靠的信号切换，减少机械继电器的磨损。

 3. 电机驱动
   - 小型电机控制：适用于低功率直流电机的启动、停止和速度控制。
   - H 桥电路：在双向电机驱动中，MOSFET 阵列可构成 H 桥以实现正反转功能。

 4. 通信设备
   - 射频开关：在无线通信模块中，用于切换不同频段或天线路径。
   - 数据接口保护：为 USB、UART 或其他数据接口提供过流保护。

 5. 消费类电子产品
   - 便携式设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理单元 (PMU)。
   - 音频放大器：用于高效驱动扬声器或耳机。

 6. 工业应用
   - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 自动化系统：在 PLC（可编程逻辑控制器）或继电器模块中作为开关元件。

 7. 汽车电子
   - 车载电子设备：如车灯控制、风扇调速或雨刷电机驱动。
   - 电池管理系统 (BMS)：用于监控和保护电动汽车或混合动力汽车的电池组。

 特点支持的应用优势：
- 低导通电阻 (Rds(on))：降低功耗，提高效率。
- 高工作频率：适合高频开关应用。
- 小封装尺寸：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。
- 高可靠性：适用于严苛环境下的长期运行。

综上所述，SI5920DC-T1-E3 在电源管理、信号切换、电机驱动、通信设备等多个领域均有广泛应用，能够满足高性能和高可靠性的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI5920DC-T1-E3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	680pF @ 4V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	32 毫欧 @ 6.8A，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	1206-8 ChipFET™
其它名称	SI5920DC-T1-E3DKR
功率-最大值	3.12W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4A