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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5908DC-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5908DC-T1-E3价格参考¥3.72-¥3.83。VishaySI5908DC-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI5908DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5908DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.9 A |
Id-连续漏极电流 | 5.9 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5908DC-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI5908DC-T1-E3SI5908DC-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 36 ns |
下降时间 | 36 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 4.4A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
其它名称 | SI5908DC-T1-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 40 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 5.9 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI5908DC-E3 |