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SI5903DC-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5903DC-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5903DC-T1-E3价格参考。VishaySI5903DC-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.1A 1.1W 表面贴装 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5903DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5903DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI5903DC-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 155 毫欧 @ 2.1A,4.5V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
其它名称 | SI5903DC-T1-E3DKR |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A |