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  • 型号: SI5419DU-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI5419DU-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5419DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5419DU-T1-GE3价格参考¥1.91-¥4.92。VishaySI5419DU-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak® ChipFet(3x1.9)。您可以下载SI5419DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5419DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI5419DU-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其典型应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:适用于降压或升压转换器中的开关元件,能够高效地控制电流流动。
   - 负载开关:用于动态管理电路中的负载,确保设备在待机或关断模式下消耗极低的电流。
   - 电池管理系统 (BMS):在便携式设备中用作电池保护开关,防止过流、短路或反向电压损坏。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:用于驱动风扇、玩具电机或其他低功率电机,提供高效的开关和调速功能。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动。

 3. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用作负载开关或电源路径管理器件,优化功耗并延长电池寿命。
   - 音频放大器:在 D 类放大器中充当开关元件,以提高效率并减少热量产生。

 4. 通信设备
   - 基站和路由器:用于电源分配网络,确保稳定的电压输出。
   - 信号调节:在高频电路中用作快速开关,支持数据传输和信号处理。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口:为传感器供电或控制其工作状态,同时保护系统免受过载影响。
   - 继电器替代:利用其固态特性代替传统机械继电器,提高可靠性和响应速度。

 6. 汽车电子
   - 车身控制系统:如车窗升降器、雨刷器等需要低功耗和高可靠性的应用。
   - LED 照明驱动:用于驱动车内或外部 LED 灯具,确保亮度稳定且节能。

SI5419DU-T1-GE3 的低 Rds(on) 和小封装尺寸使其非常适合空间受限且对效率要求较高的设计。此外,其出色的热性能也使得它能够在较高环境温度下稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFETMOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.9 A

Id-连续漏极电流

9.9 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si5419DU-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI5419DU-T1-GE3Si5419DU-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

33 ns, 10 ns

下降时间

16 ns, 12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 6.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PowerPak® ChipFet

其它名称

SI5419DU-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

30 ns, 40 ns

功率-最大值

31W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerPak® CHIPFET™

封装/箱体

PowerPAK-8 ChipFET Single

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

9.9 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI5419DU-GE3

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