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SI5419DU-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5419DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5419DU-T1-GE3价格参考¥1.91-¥4.92。VishaySI5419DU-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak® ChipFet(3x1.9)。您可以下载SI5419DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5419DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5419DU-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其典型应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:适用于降压或升压转换器中的开关元件,能够高效地控制电流流动。 - 负载开关:用于动态管理电路中的负载,确保设备在待机或关断模式下消耗极低的电流。 - 电池管理系统 (BMS):在便携式设备中用作电池保护开关,防止过流、短路或反向电压损坏。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于驱动风扇、玩具电机或其他低功率电机,提供高效的开关和调速功能。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用作负载开关或电源路径管理器件,优化功耗并延长电池寿命。 - 音频放大器:在 D 类放大器中充当开关元件,以提高效率并减少热量产生。 4. 通信设备 - 基站和路由器:用于电源分配网络,确保稳定的电压输出。 - 信号调节:在高频电路中用作快速开关,支持数据传输和信号处理。 5. 工业自动化 - 传感器接口:为传感器供电或控制其工作状态,同时保护系统免受过载影响。 - 继电器替代:利用其固态特性代替传统机械继电器,提高可靠性和响应速度。 6. 汽车电子 - 车身控制系统:如车窗升降器、雨刷器等需要低功耗和高可靠性的应用。 - LED 照明驱动:用于驱动车内或外部 LED 灯具,确保亮度稳定且节能。 SI5419DU-T1-GE3 的低 Rds(on) 和小封装尺寸使其非常适合空间受限且对效率要求较高的设计。此外,其出色的热性能也使得它能够在较高环境温度下稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFETMOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.9 A |
Id-连续漏极电流 | 9.9 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si5419DU-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI5419DU-T1-GE3Si5419DU-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 33 ns, 10 ns |
下降时间 | 16 ns, 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PowerPak® ChipFet |
其它名称 | SI5419DU-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 30 ns, 40 ns |
功率-最大值 | 31W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 20 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerPak® CHIPFET™ |
封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | 9.9 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI5419DU-GE3 |