ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI5411EDU-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI5411EDU-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5411EDU-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5411EDU-T1-GE3价格参考。VishaySI5411EDU-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK® ChipFET 单通道。您可以下载SI5411EDU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5411EDU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI5411EDU-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 SI5411EDU-T1-GE3常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等电源管理系统中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。特别是在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，该MOSFET有助于实现高效的电源管理，延长电池寿命。 2. 电机控制 在电机驱动电路中，MOSFET作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。SI5411EDU-T1-GE3适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机等应用，尤其是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，能够提供稳定的电流控制，确保电机运行的高效性和可靠性。 3. 负载开关 该MOSFET可用作负载开关，控制电路中的电流流动。例如，在USB充电器、汽车电子系统和消费电子产品中，SI5411EDU-T1-GE3可以快速响应负载变化，保护电路免受过流、短路等故障的影响。 4. 信号切换 在通信设备和数据传输系统中，MOSFET可用于信号切换。SI5411EDU-T1-GE3能够在高速信号路径中提供低阻抗通道，确保信号的完整性和稳定性，适用于网络交换机、路由器等设备。 5. 电池保护 在电池管理系统中，MOSFET用于防止电池过充、过放和短路等问题。SI5411EDU-T1-GE3的低导通电阻和快速开关特性，使其成为理想的电池保护元件，适用于锂电池组、电动汽车和储能系统等应用。 总结 SI5411EDU-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关、信号切换和电池保护等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，使得该MOSFET在各种电力电子设备中表现出色，满足了不同应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFETMOSFET -12V .0082ohm@-4.5V -25A P-Ch T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 25 A |
| Id-连续漏极电流 | - 25 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5411EDU-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5411EDU-T1-GE3SI5411EDU-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 31 W |
| Pd-功率耗散 | 31 W |
| Qg-GateCharge | 70 nC |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.2 毫欧 @ 6A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFET 单通道 |
| 其它名称 | SI5411EDU-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFETr |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 单 |
| 封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 25 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/12-v-and-20-v-pchannel-gen-iii-mosfets/51062 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 配置 | Single |
_renders/IS61WV102416BLL-10TLI.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
