ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SI4948BEY-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI4948BEY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4948BEY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4948BEY-T1-GE3价格参考。VishaySI4948BEY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 2.4A 1.4W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4948BEY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4948BEY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4948BEY-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景。这款器件具有出色的性能和可靠性,适用于以下应用场景: 1. 电源管理:在电源管理系统中,SI4948BEY-T1-GE3可用于DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路。其低导通电阻(Rds(on))可以减少功率损耗,提高效率,特别适合便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。 2. 电机控制:该MOSFET阵列适用于小型电机驱动应用,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。它能够提供快速切换和精确的电流控制,确保电机运行平稳且高效。 3. 通信设备:在网络交换机、路由器和其他通信基础设施中,SI4948BEY-T1-GE3可用于信号路径中的开关操作,实现数据传输的可靠性和稳定性。此外,它还可以用于电源模块以确保系统的稳定供电。 4. 消费电子:从音频放大器到游戏控制器,许多消费电子产品都需要高效的开关元件。SI4948BEY-T1-GE3凭借其紧凑的封装和优异的电气特性,成为这些应用的理想选择。 5. 工业自动化:在工厂自动化系统中,该器件可用于PLC输入输出接口、传感器接口以及伺服控制系统等场合。其坚固耐用的设计能够承受恶劣的工作环境,保证长时间稳定运行。 6. 汽车电子:对于汽车内的电子控制单元(ECU)、车身控制系统及辅助驾驶系统,SI4948BEY-T1-GE3提供了可靠的开关解决方案,支持AEC-Q101认证,满足汽车行业的严格要求。 总之,SI4948BEY-T1-GE3以其高性能、高可靠性和灵活性,成为众多电子应用中不可或缺的关键组件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOICMOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72847 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4948BEY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4948BEY-T1-GE3SI4948BEY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 3.1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4948BEY-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI4948BEY-GE3 |