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  • 型号: SI4946BEY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4946BEY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4946BEY-T1-E3价格参考¥4.60-¥8.57。VishaySI4946BEY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 6.5A 3.7W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4946BEY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4946BEY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOICMOSFET 60V 6.5A 3.7W

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 A

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73411

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4946BEY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4946BEY-T1-E3SI4946BEY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

120 ns, 12 ns

下降时间

30 ns, 10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

840pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

41 毫欧 @ 5.3A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4946BEY-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

20 ns, 25 ns

功率-最大值

3.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI4946BEY-E3

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