ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SI4931DY-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI4931DY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4931DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4931DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4931DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 6.7A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4931DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4931DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4931DY-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,适用于多种电力电子应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其在高效电源管理、信号切换和保护电路中表现出色。 应用场景: 1. 便携式设备: - 在智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,SI4931DY-T1-GE3用于电源管理和负载开关。其低导通电阻有助于减少功耗,延长电池寿命。 2. 电源管理: - 该器件可用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中,作为高效的开关元件。其快速开关速度和低损耗特性使得它在高频开关应用中表现优异。 3. 负载切换与保护: - 在多路输出电源系统中,SI4931DY-T1-GE3可以用于负载切换和过流保护。它能够快速响应电流变化,防止过载和短路对系统造成损害。 4. 通信设备: - 在基站、路由器和其他通信设备中,该器件用于信号路径中的开关控制,确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品: - 在电视、音响设备等消费类产品中,SI4931DY-T1-GE3用于音频信号切换、背光驱动等应用,提供高效且稳定的性能。 6. 工业自动化: - 在工业控制系统中,该器件可用于电机驱动、传感器接口等场合,实现精确的电流控制和快速响应。 7. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、电动窗控制器等,SI4931DY-T1-GE3可以用于各种负载的开关控制,确保系统的可靠性和安全性。 总之,SI4931DY-T1-GE3凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计,广泛应用于需要高效、可靠开关控制的各种领域,特别是在对空间和功耗有严格要求的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI4931DY-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 350µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 8.9A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4931DY-T1-GE3TR |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.7A |