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  • 型号: SI4931DY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI4931DY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4931DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4931DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4931DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 6.7A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4931DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4931DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI4931DY-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,适用于多种电力电子应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其在高效电源管理、信号切换和保护电路中表现出色。

 应用场景:

1. 便携式设备:
   - 在智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,SI4931DY-T1-GE3用于电源管理和负载开关。其低导通电阻有助于减少功耗,延长电池寿命。
   
2. 电源管理:
   - 该器件可用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中,作为高效的开关元件。其快速开关速度和低损耗特性使得它在高频开关应用中表现优异。
   
3. 负载切换与保护:
   - 在多路输出电源系统中,SI4931DY-T1-GE3可以用于负载切换和过流保护。它能够快速响应电流变化,防止过载和短路对系统造成损害。
   
4. 通信设备:
   - 在基站、路由器和其他通信设备中,该器件用于信号路径中的开关控制,确保信号传输的稳定性和可靠性。
   
5. 消费类电子产品:
   - 在电视、音响设备等消费类产品中,SI4931DY-T1-GE3用于音频信号切换、背光驱动等应用,提供高效且稳定的性能。
   
6. 工业自动化:
   - 在工业控制系统中,该器件可用于电机驱动、传感器接口等场合,实现精确的电流控制和快速响应。
   
7. 汽车电子:
   - 在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、电动窗控制器等,SI4931DY-T1-GE3可以用于各种负载的开关控制,确保系统的可靠性和安全性。

总之,SI4931DY-T1-GE3凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计,广泛应用于需要高效、可靠开关控制的各种领域,特别是在对空间和功耗有严格要求的应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SI4931DY-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 350µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 8.9A,4.5V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4931DY-T1-GE3TR
SI4931DYT1GE3

功率-最大值

1.1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.7A

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