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Datasheet下载- 型号： SI4931DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4931DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4931DY-T1-E3价格参考。VishaySI4931DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 12V 6.7A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4931DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4931DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4931DY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI4931DY-T1-E3 在电源管理领域有广泛应用，特别是在便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）的电源管理系统中。它能够提供高效的开关性能，帮助实现快速的电压转换，同时降低功耗。其低导通电阻特性有助于减少发热，延长电池寿命。 2. 负载切换 在负载切换应用中，SI4931DY-T1-E3 可以用于控制不同负载的通断。例如，在汽车电子系统中，它可以用来控制电动座椅、车窗升降器、雨刷等设备的电源供应。通过精确控制电流流动，确保这些设备在需要时正常工作，并在不需要时断电以节省能源。 3. 电机驱动 该器件适用于小型直流电机的驱动控制。由于其低导通电阻和快速开关特性，可以有效减少电机启动和运行时的能耗，提高系统的整体效率。此外，它还可以用于步进电机和伺服电机的驱动电路中，提供稳定可靠的电流控制。 4. 电池保护 在电池管理系统中，SI4931DY-T1-E3 可以用作电池保护开关。当检测到过充、过放或短路等异常情况时，MOSFET 可以迅速切断电池与负载之间的连接，防止电池损坏或发生危险。这种保护机制对于锂电池、铅酸电池等储能设备尤为重要。 5. 信号隔离 在一些需要电气隔离的应用中，SI4931DY-T1-E3 可以作为信号传输路径上的开关元件。例如，在工业自动化控制系统中，它可以帮助隔离不同电压等级的电路部分，确保系统的安全性和稳定性。 6. LED 驱动 在 LED 照明应用中，特别是大功率 LED 驱动电路中，SI4931DY-T1-E3 可以用于调节电流，确保 LED 在合适的电流下工作，从而提高发光效率并延长使用寿命。 总之，SI4931DY-T1-E3 凭借其优异的电气特性和可靠性，适合多种需要高效开关和低损耗的应用场合，尤其是在便携式设备、汽车电子、工业控制等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICsMOSFET 12V 8.9A 1.1W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72379 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4931DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4931DY-T1-E3SI4931DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 350µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 8.9A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4931DY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 230 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4931DY-E3 |
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