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型号： SI4925BDY-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4925BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4925BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4925BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 5.3A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4925BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4925BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4925BDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效功率管理、信号切换和保护的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 电源管理
SI4925BDY-T1-GE3 常用于各种电源管理系统中，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备的电源管理模块。它能够实现高效的电压转换和电流控制，帮助延长电池寿命并提高系统的整体能效。

 2. 负载开关
在多路供电系统中，MOSFET 阵列可以作为负载开关使用，控制不同负载的通断。例如，在 USB 接口、存储卡插槽等外设接口中，SI4925BDY-T1-GE3 可以根据需求快速切换电源供应，确保外设的安全连接和断开。

 3. 电机驱动
该器件也适用于小型电机驱动电路，如手机振动马达、无人机电机等。通过精确控制电机的启动、停止和速度调节，SI4925BDY-T1-GE3 能够提供稳定的驱动信号，同时具备低导通电阻（Rds(on)），减少发热和功耗。

 4. 过流保护
在一些对电流敏感的应用中，如电池充电器、LED 照明系统等，SI4925BDY-T1-GE3 可以用作过流保护元件。当检测到异常电流时，MOSFET 阵列会迅速切断电路，防止损坏其他元器件。

 5. 音频放大器
在音频设备中，MOSFET 阵列可以用于音频信号的放大和传输。SI4925BDY-T1-GE3 的低导通电阻有助于减少信号损失，提升音质表现，并且其高开关速度能够保证音频信号的清晰度和稳定性。

 6. 通信设备
在无线通信模块（如 Wi-Fi、蓝牙等）中，SI4925BDY-T1-GE3 可以用于天线切换、功率放大器控制等功能，确保信号的可靠传输和接收，同时降低功耗。

总之，SI4925BDY-T1-GE3 凭借其出色的性能参数和可靠性，成为众多电子设备中不可或缺的关键组件，尤其适合对效率、体积和成本有较高要求的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI4925BDY-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 7.1A，10V
供应商器件封装	8-SO
功率-最大值	1.1W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.3A